8TB，對于消費級機械硬盤來說就已經(jīng)是非?？捎^的容量了，當(dāng)它與超高性能的PCIe5.0會碰撞出什么樣的火花？這就是如約而至的三星品牌存儲旗艦級中的旗艦——9100 PRO 8TB固態(tài)硬盤。

三星憑借深厚的技術(shù)儲備和后發(fā)優(yōu)勢，3月份發(fā)布全新的旗艦產(chǎn)品9100 PRO再次奠定PCIe5.0固態(tài)硬盤的全新標(biāo)桿，同時還官宣“海納百川”的8TB超大容量，不僅擴充了9100 PRO系列的產(chǎn)品線，也標(biāo)志著三星在大容量、高性能PCIe固態(tài)硬盤的道路上再邁關(guān)鍵一步。在8月份的Chinajoy2025展會上這款產(chǎn)品全球首展并讓現(xiàn)場的觀眾率先體驗，以強大的產(chǎn)品力再次成為行業(yè)關(guān)注的焦點。

8TB對于普通消費者來說還是個比較超前的容量，但它對諸多行業(yè)的意義遠(yuǎn)超想象，不僅能讓高級玩家存儲約80個3A大作（按照Steam年最佳榜單前11款游戲平均90.6GB容量），更能讓影視、3D圖形等專業(yè)創(chuàng)作行業(yè)存儲更多的工作流文件。而AI時代對于存儲的需求更是日益劇增，例如圖像/視頻生成AI會產(chǎn)生大量的素材文件，本地部署的高精度大模型數(shù)量呈指數(shù)增長。除此之外，以Copilot+ PC為代表的AI PC的Recall功能，為用戶提時間流式的使用回顧，而存儲這些精細(xì)化的快照需要4TB/8TB以上的存儲。因此，8TB超大容量可以說是一個全新的起點。

我們先瀏覽下三星9100 PRO 8TB的特點：

• 1、8TB超大容量，配備8GB LPDDR4X DRAM獨立緩存
• 2、順序讀寫性能高達(dá)14800MB/s和13400MB/s，與4TB版本一致
• 3、隨機讀寫性能高達(dá)2200K IOPS和2600K IOPS，與4TB版本一致
• 4、三星TurboWrite2.0技術(shù)帶來更高的SLC緩存空間
• 5、總寫入量高達(dá)4800TBW
• 6、散熱片版采用更高效的散熱片，兼顧與各類設(shè)備的兼容性，并針對索尼PlayStation5主機優(yōu)化

外觀一覽

三星9100 PRO 8TB固態(tài)硬盤標(biāo)準(zhǔn)版和散熱片版同步發(fā)售，外觀與之前評測過的4TB基本相同。

標(biāo)準(zhǔn)版正面標(biāo)簽的風(fēng)格與4TB版一致，產(chǎn)品型號、S/N碼、容量等信息一應(yīng)俱全。值得一提的是，由于增加了NAND FLASH芯片的數(shù)量，工作電流由4TB的2.9A提升至3.5A，長時間滿負(fù)荷運行建議搭配主板自帶的M.2散熱馬甲，或者選擇更高效散熱片版。

揭開正面的標(biāo)簽，可看到PCB正面采用1顆PCIe5.0主控芯片+1顆LPDDR4X DRAM獨立緩存芯片+2顆NAND FLASH芯片的布局，PCB的空位近乎布滿了貼片電容電阻，為整體穩(wěn)定運行提供保障。

自研主控芯片代號Presto，采用5nm工藝制程和低功耗架構(gòu)打造，表面采用鍍鎳涂層，結(jié)合內(nèi)置的動態(tài)散熱保護(hù)機制（DTG）和銅箔輔助散熱標(biāo)簽/包裹式散熱器，有效保障長時間穩(wěn)定數(shù)據(jù)傳輸。與之搭配的LPDDR4X DRAM獨立緩存芯片容量也提升至8GB，進(jìn)一步提升I/O效能，達(dá)到每1GB對應(yīng)1TB。

核心元件是NAND FLASH是三星第八代V-NAND TLC原廠芯片，與背面的兩顆一起構(gòu)成了8TB容量。

和1~4TB版本不同的是，三星9100 PRO 8TB采用雙面芯片設(shè)計，PCB背面也有兩顆NAND FLASH閃存芯片，銅箔導(dǎo)熱標(biāo)簽貼在對應(yīng)主控芯片和DRAM獨立緩存位置。

散熱片版的外觀與4TB基本相同，包裹式散熱片采用黑色磨砂噴涂工藝處理，邊緣有CNC精細(xì)處理的亮線，四道凹槽設(shè)計大幅增加了散熱面積，上面有三星品牌LOGO和Solid State Drive字樣，視覺效果非常大氣，整體感極強。

由于PCB采用雙面芯片設(shè)計，散熱片高度由1~4TB的8.8mm增加到11.25mm，但這個高度均衡了設(shè)備兼容性和散熱能力，不會與顯卡和CPU散熱器發(fā)生干涉，但部分高端主板可能需要拆掉M2固態(tài)硬盤位的底部導(dǎo)熱板才能安裝。除此之外還針對索尼PlayStation5游戲主機的硬盤艙深度進(jìn)行優(yōu)化，不會頂起蓋板。

標(biāo)簽貼紙散熱片背面，與標(biāo)準(zhǔn)版內(nèi)容基本一致。

產(chǎn)品信息

Crystal Disk info顯示，三星9100 PRO 8TB可用容量為8001.5GB，傳輸模式為PCIe5.0x4，26℃室溫下閑時溫度53℃，支持NVMe2.0標(biāo)準(zhǔn)，以及S.M.A.R.T、TRIM和VolatileWriteCache功能。其中VolatileWriteCache是NVMe協(xié)議中的一個特性，能減少延遲并提高寫入速度，本次測試我們使用的是散熱片版。

三星魔術(shù)師（Magician）功能豐富，支持三星品牌旗下所有的存儲產(chǎn)品。例如它可以顯示三星9100 PRO 8TB的序列號、固件版本信息，還能查看你的三星品牌存儲是否為正品。除此之外還能進(jìn)行固件升級、安全擦除等操作，強烈推薦大家安裝。

三星魔術(shù)師還能對存儲狀態(tài)進(jìn)行監(jiān)控，例如可以看到三星9100 PRO 8TB總寫入數(shù)據(jù)量，以及某個時間段的溫度曲線，讓大家做到心中有數(shù)，堪稱是貼心管家。除此之外還具備性能測試功能，即使新手用戶也能輕松了解自己固態(tài)硬盤的性能。

另外，測試之前需要將性能模式調(diào)整為Full Performance Mode，以便發(fā)揮最佳效能。如果平時使用可以設(shè)置為Standard Mode，如果用于游戲筆記本則可根據(jù)需求設(shè)置為Power Saving Mode。

基準(zhǔn)測試

本次測試，我們選擇AMD銳龍9和Intel第14代酷睿i9這兩套高端平臺，下面是詳細(xì)的配置。

作為一款容量升級產(chǎn)品，三星9100 PRO 8TB標(biāo)稱性能與4TB版一致，即14800MB/s和13400MB/s順序讀寫性能，以及2200K IOPS和2600K IOPS隨機性能。經(jīng)CrystalDisk Mark實測，順序讀寫速度達(dá)到14827.77MB/s和13389.99MB/s，與標(biāo)稱基本一致。

用于對比的TxBench測試結(jié)果顯示，三星9100PRO8TB順序讀寫速度達(dá)到14062.64MB/s和13628MB/s，基本達(dá)到“滿血PCIe5.0”水準(zhǔn)。隨機性能方面參考Crystal Disk Mark，達(dá)到2150K IOPS和1996K IOPS，一方面是由于測試軟件的隊列數(shù)和線程設(shè)置的差異，另一方面是PCIe5.0對于CPU的體質(zhì)和主板的電氣性能有較高要求。

固態(tài)硬盤容量的翻倍不僅能存儲更多的文件，三星專有TurboWrite2.0技術(shù)讓三星9100 PRO 8TB的SLC緩存空間理論上也實現(xiàn)了翻倍，大幅提升寫入效能。在專業(yè)軟件IOmeter中設(shè)置128KB數(shù)據(jù)塊和QD32隊列，經(jīng)過40分鐘的測試，一開始連續(xù)寫入速度穩(wěn)定在13100--13400MBps區(qū)間，53秒后SLC緩存用盡，閃存直接寫速度在1500--1900MB/s，測算空盤時SLC緩存高達(dá)2TB，這意味著在影視、AI應(yīng)用等數(shù)據(jù)密集型行業(yè)使用三星9100 PRO 8TB會更加高效。

待主控Trim1小時后，我們測試了下三星9100 PRO 8TB隨機寫入性能，IOmeter設(shè)置4KB數(shù)據(jù)塊和QD32隊列，測試時間45分鐘。從測試圖形可以看出，三星9100PRO的實力非常強悍，密集區(qū)間處于2450000~247000IOps，不僅全程測試沒有明顯的波動，而且分散度非常低，可見隨機寫入性能依然是這款產(chǎn)品的強項。

雖然NAND FLASH芯片數(shù)量增加了一倍，但三星9100 PRO 8TB的功耗增加并不大，在smartmontools中可以看到有5種預(yù)設(shè)模式，全速運行PS0--PS2模式最高功耗為9.3W，但淺度睡眠PS3模式可低至0.05W，深度睡眠PS4模式更是低至0.007W，可見這款產(chǎn)品在性能和能耗均衡方面非常理想，用于游戲筆記本也不用擔(dān)心電池巡航的問題。

為了測試發(fā)熱控制情況，我們再次執(zhí)行了20分鐘的IOmeter的128KB順序?qū)懭霚y試，讓三星9100 PRO散熱片版8TB進(jìn)入滿載狀態(tài)。從溫度曲線看最高溫度為83℃，雖然比4TB高一點，但尚未觸發(fā)動態(tài)散熱保護(hù)機制（DTG），因此重負(fù)荷使用場景建議使用散熱片版。

應(yīng)用模擬測試

基準(zhǔn)測試再次展示三星9100 PRO 8TB的性能的強大，接下來我們看看應(yīng)用模擬測試的表現(xiàn)。PCMARK10完整系統(tǒng)盤測試，將固態(tài)硬盤模擬成系統(tǒng)盤，測試操作系統(tǒng)啟動、辦公和設(shè)計等場景下的表現(xiàn)，三星9100 PRO 8TB整體得分6308分，帶寬為986.79MB/s，平均存取時間為26μs。

3DMARK存儲基準(zhǔn)測試通過對三款游戲的載入、保存、安裝與錄制來評估固態(tài)硬盤的游戲性能。最終三星9100 PRO 8TB的存儲基準(zhǔn)測試得分為5748分，平均帶寬為976.82MB/s，平均存取時間為31μs。其中《戰(zhàn)地風(fēng)云5》帶寬為1631.13MB/s，平均存取時間為46μs。由于PCMARK10和3DMARK在不同的硬件平臺跑分存在不小的差異，故這兩項成績僅供參考。

最后是《最終幻想：曦光旅路》（FINAL FANTASY XIV:Dawntrail）的Benchmark，它不僅能衡量不同顯卡的性能，還能直觀展示存儲設(shè)備的加載情況。

最終三星9100 PRO 8TB得分19282，全部的轉(zhuǎn)場載入時間僅為6.246秒，極大降低了游戲加載的時間和場景轉(zhuǎn)換的延遲。

總結(jié)

現(xiàn)在消費級固態(tài)硬盤已正式進(jìn)入PCIe5.0時代，“滿血”性能已經(jīng)不是唯一的主題，數(shù)據(jù)密集型行業(yè)對于容量也提出更高的要求。作為消費級存儲行業(yè)的領(lǐng)軍品牌，三星PCIe5.0的固態(tài)硬盤的動向深受業(yè)界和消費者的同時關(guān)注，如約而至的9100 PRO 8TB，以5nm高性能主控芯片和第八代V-NAND TLC存儲芯片，帶來“海納百川的”容量和更高效的I/O表現(xiàn)，無論是追求速度的硬核玩家、需要高速渲染的內(nèi)容創(chuàng)作者，還是要求嚴(yán)苛的專業(yè)人士都能從中受益，更是AI時代理想存儲解決方案。同時它還擁有高達(dá)4800TBW全盤寫入壽命、150萬小時平均故障間隔時間(MTBF)和5年質(zhì)保，再次成為旗艦級PCIe5.0固態(tài)硬盤的全新樣板。