在英特爾酷睿Ultra 7 265K處理器硬件平臺測試，在Crystal Disk Mark基準讀寫測試中，閃迪WD Blue SN5100固態(tài)硬盤的順序讀取寫入速度分別為7122MB/s與6721MB/s，4K單線程讀寫速度分別為114.92MB/s與309.23MB/s，4K隨機讀寫IOPS分別為1199K與1463K。

在AMD銳龍9 9950X3D處理器+B850M主板上進行性能測試，實測閃迪WD Blue SN5100固態(tài)硬盤的順序讀取速度為7332MB/s，順序寫入速度為6726MB/s，4K單線程讀寫速度為85.23MB/s與246MB/s，固態(tài)硬盤在Intel/AMD兩個平臺中均達到所標稱的順序讀寫速度。

ATTO Disk Benchmark基準性能測試軟件，測試結果如下圖，閃迪WD Blue SN5100固態(tài)硬盤面對4K大小文件時的讀寫速度分別為321MB/s與732 MB/s，當文件大小在64KB以上基本達到滿速寫入，最大讀取寫入速度分別為6.64GB/s與6.27GB/s。

3DMark基準性能測試軟件存儲基準測試項目，成績高低會受到硬件平臺或接口的影響，閃迪WD Blue SN5100固態(tài)硬盤在該測試項目中的得分為4237，平均帶寬為700MB/s，平均存取時間只有45μs，加載《戰(zhàn)地風云5》游戲時帶寬為1383MB/s。

PCMark10基準性能測試軟件，數據盤基準測試項目，閃迪WD Blue SN5100固態(tài)硬盤的成績?yōu)?899分，單寬為862.88MB/s，平均存取時間為26μs，屬于很不錯的成績。

TxBENCH基準性能測試軟件，測試結果一般會低于前面的Crystal Disk Mark軟件，實測閃迪WD Blue SN5100固態(tài)硬盤的順序讀寫速度分別為7060MB/s和6725MB/s，在4K單線程隨機讀寫速度分別為106.765MB/s與266.860MB/s。

順道對閃迪WD Blue SN5100 2TB固態(tài)硬盤進行全盤寫入測試，從曲線可見呈現出兩段式寫入速度，在空盤狀態(tài)下，SLC緩存大小約為470GB，此時寫入速度能達到6500MB/s，當SLC緩存耗盡后進入直寫模式，此時寫入速度也能達到450MB/s，全盤寫入總耗時約為55分鐘。

前面是基于空盤狀態(tài)下的性能測試，與廠商標稱的讀寫速度值相匹配，在實際當中固態(tài)硬盤中存儲軟件游戲與視頻等大量數據，接著利用游戲文件數據將固態(tài)硬盤存儲空間填充至90%，繼續(xù)觀察其讀寫性能表現，在90%占用率下的讀寫速度分別為7119MB/s與6425MB/s，對比空盤狀態(tài)寫入速度下降了一點點，讀取速度則相差無幾。

這款固態(tài)硬盤十分適合作為游戲文件數據存儲盤使用，即使在接近滿盤狀態(tài)下也能做到讀取不降速，比如在游戲《魔咒之地》中內置基準測試功能，可查看場景載入速度，選了三個模型較為復雜的場景，載入耗時分別為2.003s、1.851s與1.026s，與空盤狀態(tài)下的載入時間并無差距，為玩家提供了穩(wěn)定高速載入的使用體驗，減少等待的時間

最后測試固態(tài)硬盤的發(fā)熱表現，閃迪WD Blue SN5100 2TB固態(tài)硬盤提供了兩個溫度傳感器數據，分別代表著主控芯片與閃存顆粒的溫度，測試時室溫為28℃并搭配主板的金屬散熱模塊，利用軟件記錄全盤寫入測試期間的溫度數據，顯示主控芯片與閃存顆粒的最高溫度分別為58℃與62℃。

結語：

閃迪WD Blue SN5100 2TB固態(tài)硬盤采用無獨立緩存DRAM-less架構設計，雖然其所搭載QLC閃存顆粒，但經過對固態(tài)硬盤進行多方面性能測試，完全不輸搭載TLC閃存顆粒的固態(tài)硬盤，也確實打破本人對QLC閃存顆粒的刻板印象，其有著相當優(yōu)秀的讀寫表現，實測固態(tài)硬盤的順序讀寫速度可達7122MB/s與6721MB/s，已經達到PCIe4.0×4傳輸接口的上限，4K隨機讀寫部分也相當亮眼。

廠商對固件策略做了深入的優(yōu)化調整，SLC緩存空間給得足夠大，前期能保持超快的寫入速度，即便SLC緩存空間耗盡后寫入速度也達到450MB/s，大幅縮短數據文件拷貝過程所耗時間，整個寫入過程曲線十分穩(wěn)定，在90%空間占用狀態(tài)下也沒出現明顯的性能下降，從整體的表現來看可滿足游戲辦公等不同場景的性能需求，適合內容創(chuàng)作者或者游戲玩家作為數據存儲盤使用，在性能與溫控等方面也做到了不錯的平衡。