當提及奧?？疲∣RICO）這個品牌，多數(shù)人的第一印象或許停留在移動電源、擴展塢等數(shù)碼配件領域。然而近兩年，這家曾深耕數(shù)碼外設行業(yè)的品牌正悄然拓展業(yè)務版圖—開始在存儲領域“排兵布陣”，推出包括閃存盤、固態(tài)硬盤（SSD）、NAS存儲設備及內存條在內的多個存儲類產(chǎn)品。

我們曾對奧?？崎W存盤和固態(tài)硬盤進行過深度評測，其通過采用業(yè)內頭部品牌原廠顆粒與主控方案，讓產(chǎn)品擁有不錯的性能?？吹贸鰜?，奧?？圃诖鎯︻I域的技術積累已初具規(guī)模。如今，奧?？朴滞ㄟ^推出DDR5馳刃內存條入局PC內存市場。那么，該內存的性能和穩(wěn)定性能否媲美傳統(tǒng)專業(yè)內存品牌？接下來我們將通過實測，看看奧?？圃趦却孢@條賽道上能否交出滿意答卷。

產(chǎn)品參數(shù)

• 容量：16GB×2
• 內存電壓：DDR5 400@1.4V
• 默認時序：32-39-39-102@DDR5 6400
• 質保時間：終身質保
• 馬甲材質：鋁合金
• 尺寸大小：137mm×45mm×18mm
• 參考價格：719元

可選無光和ARGB燈效版

奧?？艱DR5馳刃內存條提供了多個版本可選。首先，它擁有ARGB燈效版和無光版，其中ARGB燈效版采用了8顆ARGB LED燈珠，使用導光條讓燈效看上去更加均勻，發(fā)光也比較柔和、透亮。同時，燈效支持與華碩、微星以及技嘉這類主流主板品牌的燈效系統(tǒng)同步，方便用戶打造統(tǒng)一聯(lián)動的燈效。ARGB燈效版和無光版存在一定的價格差別，我們以同樣為馳刃DDR5 6400 32GB版（16GB×2）的規(guī)格舉例，ARGB燈效版售價為799元，無光版的售價為719元，價格差距為80元。這兩者除了燈效差別外，其他參數(shù)完全相同。

▲奧?？岂Y刃系列DDR5 6400內存提供了帶ARGB燈效版本，16GB×2版本的價格為799元。

其次，奧睿科DDR5馳刃內存條還提供了DDR5 6000~DDR5 7200可選，其中，無光版目前僅提供DDR5 6000和DDR5 6400兩個版本。ARGB版則提供了DDR5 6000、DDR5 6400以及DDR5 7200三個版本。我們本次體驗的是奧?？岂Y刃DDR5 6400內存。

▲奧?？岂Y刃系列DDR5 6400內存燈效版（上）和非燈效版（下）采用的是不同的電源管理芯片

作為一款定位于中高端市場的內存，奧?？岂Y刃DDR5 6400配有散熱馬甲，其兩片鋁合金材質的散熱馬甲厚度達到了1.5mm，是很多普通散熱片厚度的3倍。同時，內部配合3.0W/（m·K）高導熱系數(shù)的工業(yè)導熱硅膠，可讓馬甲的散熱效率提升20%。內存PCB雙面都配備有導熱硅膠，緊貼散熱片、PCB和顆粒，能幫助內存在執(zhí)行高負載任務時快速帶走熱量，確保內存的穩(wěn)定性，不會因為過熱而導致降頻。

▲燈效版可與主流主板的燈效系統(tǒng)實現(xiàn)聯(lián)動

奧?？岂Y刃DDR5 6400燈效和非燈效版本的尺寸都是一樣的，均為137mm×45mm×18mm，45mm的高度擁有不錯的兼容性，相比市面上部分同級產(chǎn)品大多在46mm及以上高度，能夠避免用戶在搭配旗艦級雙塔風冷散熱器時出現(xiàn)兼容性問題。

▲ 燈效和非燈效的散熱馬甲的高度均為38.6mm

10層加厚PCB設計且不鎖電壓

在DIY硬件產(chǎn)品中，主板、內存和顯卡這類產(chǎn)品的PCB設計其實是比較關鍵的，它猶如高樓大廈的地基一般重要。作為電子元件的物理載體與信號傳輸樞紐，PCB的層疊結構設計直接決定了該產(chǎn)品的電氣性能。具體而言，如果使用了多層PCB結構，并通過精密的接地層與電源層分布，可擁有更好的電磁屏蔽性能，有效抑制高頻信號間的串擾現(xiàn)象；同時，內部信號層能夠明顯縮短關鍵傳輸路徑，通過優(yōu)化阻抗控制與信號回流設計，為內存總線等高速接口提供更純凈的傳輸環(huán)境。這種物理層級的優(yōu)化直接轉化為實際應用中的性能提升，不僅使內存在超頻狀態(tài)下保持更穩(wěn)定的時序表現(xiàn)，更能借助多層PCB的阻抗控制能力降低信號反射，從而為極限超頻提供更可靠的電氣環(huán)境。

另外，奧睿科馳刃DDR5 6400內存還采用了全新PMIC電源管理芯片，并且該芯片不鎖電壓，可以讓內存與主板協(xié)同工作，自動調節(jié)電壓以釋放在高速率下的性能。該芯片作為內存模塊的數(shù)字電源管家，它主要有三項功能：首先，通過內置多相供電調節(jié)引擎可實現(xiàn)納秒級動態(tài)電壓校準，相較傳統(tǒng)模擬方案電壓響應速度提升更快，為高頻場景提供更好的穩(wěn)壓保障；其次，它集成多重防護機制，包含過壓保護、欠壓補償、過流熔斷、過熱降頻、靜電屏蔽及浪涌抑制，實現(xiàn)電氣安全屏障；最后，通過數(shù)字信號處理器對供電進行優(yōu)化，使內存在超頻或AI運算等高負載場景下，仍能維持良好的電壓波動精度，避免因供電波動引發(fā)的系統(tǒng)藍屏或硬件損傷風險。值得注意的是，奧?？岂Y刃DDR5 6400內存的燈效版與非燈效版在電源管理方案上采用了差異化配置：前者搭載具備RGB控制功能的“FY1”智能PMIC，后者則采用“A20K2C”型號，通過簡化供電路徑實現(xiàn)更高能效比。

采用SK海力士顆粒

擁有低延遲

我們本次測試的奧睿科馳刃DDR5 6400內存采用雙條套裝設計，單條16GB，每條內存均搭載單面8顆顆粒，根據(jù)奧?？乒俜矫枋?，其顆粒來自SK海力士。為確保跨平臺兼容性，奧?？七€在AMD/Intel兩大CPU廠商及華碩、技嘉等主流主板廠商的平臺上進行了兼容性測試，實現(xiàn)全平臺穩(wěn)定適配。同時，該套裝完整支持英特爾XMP 3.0與AMD EXPO內存超頻技術，用戶僅需在BIOS界面啟用對應功能，即可自動加載優(yōu)化后的速率時序參數(shù)，輕松解鎖DDR5 6400高速率運行狀態(tài)。

▲奧睿科馳刃DDR5 6400內存采用的是SK海力士顆粒

時序參數(shù)方面，該內存在DDR5 6400高速率下保持CL32-39-39-102的低延遲，工作電壓穩(wěn)定在1.4V，實現(xiàn)了高性能與能效的平衡。理論上，用戶只需在主板BIOS中載入這套XMP配置，保存重啟，就能讓內存一鍵超頻到DDR5 6400。為驗證其實際表現(xiàn)，我們特別搭建了旗艦級硬件平臺：采用英特爾酷睿i9-14900K處理器搭配ROG MAXIMUS Z790 DARK HERO主板，通過基準測試與壓力驗證，全面考察這套內存套裝在高端配置下的運行穩(wěn)定性與超頻潛力。

▲使用時，須在主板中開啟XMP功能，否則會以DDR5 4800速率運行。

▲開啟XMP后就能讓內存自動達到DDR5 6400速率

▲CPU-Z檢測到內存的信息：采用SK海力士顆粒、支持AMD EXPO和英特爾XMP 3.0自動超頻技術、時序為CL32-39-39-102以及1.4V默認電壓。

測試平臺一覽

• 主板：ROG MAXIMUS Z790 DARK HERO
• 處理器：酷睿i9-14900K
• 內存：奧?？岂Y刃DDR5 6400 16GB×2
• 硬盤：奧睿科Ice Armor冰甲1TB
• 顯卡：處理器核顯
• 電源：安耐美REVOLUTION D.F.X 1650W
• 操作系統(tǒng)：Windows 11

DDR5 6400帶來更出色的性能

在內存速率適配性方面，AMD與Intel平臺呈現(xiàn)出不同的技術分野。對于銳龍?zhí)幚砥髌脚_而言，DDR5 6000的速率就能達到性能甜點—其物理速率與AMD內存控制器實現(xiàn)同步，從而實現(xiàn)最佳效率。然而在英特爾平臺，得益于GEAR2內存分頻模式的加持，12代酷睿及后續(xù)處理器可支持最高達DDR5 9066的內存速率，這使得高頻內存成為解鎖性能的關鍵鑰匙。

我們本次測試驗證了這一技術特性：在酷睿i9-14900K+ROG MAXIMUS Z790 DARK HERO的測試平臺上，奧?？岂Y刃DDR5 6400內存發(fā)揮出了高速率帶來的高性能。當運行在DDR5 6400速率時，其AIDA64 7.65基準測試成績全面領先我們以往測試過的普通DDR5 6000內存：內存讀取帶寬突破100000MB/s，達到101284MB/s，普通DDR5 6400內存的讀取帶寬大多只在95000MB/s以內。寫入帶寬則達到87212MB/s，復制帶寬為90387MB/s。另外，在默認時序下，該內存的實際內存訪問延遲僅64.0ns，發(fā)揮出了其應有的水平，同時也印證了高頻內存對內存延遲的補償效應。

▲在DDR5 6400速率下，其AIDA64 7.65基準測試成績的內存讀取帶寬達到101284MB/s、寫入帶寬達到87212MB/s、復制帶寬為90387MB/s以及64.0ns內存訪問延遲。

這種性能提升在PerformanceTest內存專項測試中更為直觀：DDR5 6400配置斬獲4271分，成績超越全球99%的內存產(chǎn)品。深入分析可見，內存性能并非由單一時序參數(shù)決定，而是內存工作速率、內存控制器效率以及總線帶寬等多維度協(xié)同作用的結果。在英特爾平臺的高帶寬架構下，適當放寬時序可以換取更高運行速率，反而能通過提升數(shù)據(jù)傳輸吞吐量來優(yōu)化整體系統(tǒng)響應，這正是DDR5 6400配置展現(xiàn)性能優(yōu)勢的核心邏輯。

▲在PerformanceTest內存專項測試中該內存獲得4271分

此外，在《魯大師》的基準測試中，奧?？岂Y刃DDR5 6400內存的性能表現(xiàn)印證了高速率內存的價值：當運行在DDR5 6400速率時，其內存專項測試得分達到359354分，與以往測試的高性能DDR5 6400內存相當。內存性能的提升直接帶動了處理器與整機性能的全面進階—在酷睿i9-14900K處理器測試中，DDR5 6400配置下處理器得分拿到了1335450分，整機綜合性能評分也達到了2461671分。

▲在《魯大師》中的內存專項測試得分達到359354分

這種性能關聯(lián)性源于如今處理器和內存之間的協(xié)同機制：內存帶寬作為處理器與存儲系統(tǒng)間的數(shù)據(jù)通道，其傳輸速率直接影響著處理器核心的運算效率。當內存子系統(tǒng)能夠以更高速度輸送待處理數(shù)據(jù)時，處理器核心無須頻繁等待數(shù)據(jù)反饋，從而保持更高的運算吞吐量，這種協(xié)同效應在高速率內存配置下尤為明顯。

運行在DDR5 6400速率下穩(wěn)定性高

在接下來的AIDA64內存穩(wěn)定性測試中，奧?？岂Y刃DDR5 6400內存展現(xiàn)出出色的可靠性。在持續(xù)60分鐘的高強度烤機測試中，該內存全程穩(wěn)定運行于DDR5 6400高速率狀態(tài)，未出現(xiàn)任何錯誤提示或性能波動，順利通過壓力驗證。值得關注的是，即便在純被動散熱架構下（未加裝輔助風冷裝置），該內存也展現(xiàn)出優(yōu)異的溫控表現(xiàn)。

▲使用AIDA64的System Stability Test對內存進行一小時滿載測試時非常穩(wěn)定

從測試來看，在28℃的環(huán)境溫度中，經(jīng)持續(xù)60分鐘烤機測試，通過AIDA64監(jiān)控到的內存溫度，這兩條內存顆粒的最高溫度分別提升至55℃（外側）和60℃（內側），也就是溫升分別為27K和32K。為什么會造成這種溫度不一致的情況呢？我們猜測有兩種情況，首先是因為受雙通道配置中內存插槽位物理間距限制，其中一條內存的板載散熱片與相鄰內存間隔較近，因此導致這條內存的最高溫度略高于另一條內存。其次是靠內側的內存距離處理器比較近，處理器的發(fā)熱也會讓旁邊的內存溫度高于外側內存。

▲對兩條內存進行滿載測試時的最高溫度分別為55℃和60℃（室溫28℃），溫升分別為27K和32K，即使在較高的室溫環(huán)境中進行滿載測試也依舊保持穩(wěn)定。

實測數(shù)據(jù)顯示，在DDR5 6400高速率運行狀態(tài)下，全程未觸發(fā)降頻保護機制，驗證了其被動散熱系統(tǒng)的可靠性。這種溫控表現(xiàn)優(yōu)于同類產(chǎn)品平均值，充分體現(xiàn)奧?？岂Y刃DDR5 6400在緊湊空間內的高效熱管理能力。綜合來看，奧?？岂Y刃DDR5 6400內存即使在較高的室溫環(huán)境下，通過持續(xù)高負載測試也能表現(xiàn)出優(yōu)秀的熱穩(wěn)定性。其散熱系統(tǒng)設計有效平衡了高速率運行與溫度控制，為系統(tǒng)長期穩(wěn)定運行提供可靠保障，充分滿足游戲玩家、AIGC等用戶群體對內存性能與可靠性的雙重需求。

▲靠內側的內存外部散熱馬甲最高溫度為57.1℃，與內部顆粒的溫差較小，說明散熱馬甲的導熱效率很高。

可小幅超頻至DDR5 7200

在內存超頻潛力測試環(huán)節(jié)，奧睿科馳刃DDR5 6400內存擁有一定的性能提升空間。通過簡單調校，我們僅需將內存的VDD/VDDQ核心電壓提升至1.55V，并適度放寬時序參數(shù)至CL40-48-48-128，即成功實現(xiàn)DDR5 7200的超頻測試。這一速率在AIDA64 Cache&Memory Benchmark基準測試中得到充分驗證：內存讀取帶寬從101284MB/s提高至108230MB/s，寫入帶寬從87212MB/s提升至92885MB/s，復制帶寬從90387MB/s增至97136MB/s，只有內存訪問延遲從64ns略微提升至66.1ns，整體的系統(tǒng)響應速度獲得全方位提升。

▲只需將電壓提高到1.55V、內存延遲放寬到CL40-48-48-128，就能將其提升到DDR5 7200速率。

▲將內存超頻到DDR5 7200后，在AIDA64 Cache&Memory Benchmark基準測試中內存讀取帶寬從101284MB/s提高至108230MB/s，寫入帶寬從87212MB/s提升至92885MB/s，復制帶寬從90387MB/s增至97136MB/s，只有內存訪問延遲從64ns略微提升至66.1ns。

在PerformanceTest內存專項測試中，超頻后的內存得分從4271分提升至4355分，較DDR5 6400標準速率提升約2%。這種性能增幅在《魯大師》綜合測試中更為明顯：內存專項得分從359354分飆升至387619分，增幅約8%。值得一提的是，這種內存性能的質變直接帶動處理器與整機性能的連鎖提升—在DDR5 7200配置下，酷睿i9-14900K處理器的《魯大師》處理器得分從1335450分增至1404912分，整機綜合性能評分更從2461671分提升至2551154分。

▲在PerformanceTest內存專項測試中，超頻后的內存得分從4271分提升至4355分。

▲ 在《魯大師》綜合測試中，內存專項得分從359354分飆升至387619分，增幅約8%。同時也帶動了整體性能的提升：讓酷睿i9-14900K處理器的得分從1335450分增至1404912分，整機綜合性能評分從2461671分提升至2551154分。

這種性能提升說明了高速率內存對如今的整機影響比較大：當內存帶寬突破一定閾值后，處理器核心能夠獲得更充沛的數(shù)據(jù)供給，指令級并行能力得到充分釋放，最終轉化為可量化的性能提升。測試數(shù)據(jù)也清晰展現(xiàn)，哪怕內存速率提升不到1000MT/s，系統(tǒng)綜合性能也能獲得2%左右的相應提高，這種協(xié)同提升在高性能PC中帶來的效果會更加明顯。

總結

奧?？岂Y刃DDR5 6400內存在基準測試中展現(xiàn)出出色的性能表現(xiàn)，在標稱DDR5 6400速率下憑借CL32時序配置實現(xiàn)更低的延遲表現(xiàn)，在默認設置下即展現(xiàn)出超越多數(shù)同級產(chǎn)品的性能優(yōu)勢，這樣的性能在依賴內存的應用場景中表現(xiàn)尤為突出。同時，盡管在極限超頻下該內存與采用特挑顆粒的頂尖競品相比存在一定差距，但通過優(yōu)化電壓參數(shù)仍可穩(wěn)定運行在DDR5 7200速率（時序放寬至CL40），可實現(xiàn)約2%的綜合性能提升，為整機性能帶來可感知的增強效果。另外，結合其采用SK海力士顆粒的用料保障、極具競爭力的定價策略以及品牌承諾的終身質保服務，該產(chǎn)品在中端市場形成差異化競爭優(yōu)勢，特別適用于不追求極限超頻體驗，但注重系統(tǒng)穩(wěn)定性與成本效益的AMD銳龍平臺及英特爾酷睿系列處理器用戶，堪稱主流裝機場景下的高性價比解決方案。